UV电容里面是什么，uv变压器uv电容uv灯管为什么要串联使用
来源：整理 编辑：网络营销 2025-03-11 04:09:20
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1，uv变压器uv电容uv灯管为什么要串联使用
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2，电容2200MFD400VDC是什么意思
2200MFD400VDC电容器 :400VDC,表示工作电压是400VDC;电容容量是: 2200UF电容 .电容，电容器的简称，是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直、耦合、旁路、滤波、调谐回路、能量转换、控制电路等方面。基本简介电容（Capacitance）亦称作“电容量”，是指在给定电位差下的电荷储藏量，记为C，国际单位是法拉（F）。一般来说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上，造成电荷的累积储存，储存的电荷量则称为电容。因电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，所以广泛应用于隔直、耦合、旁路、滤波、调谐回路、能量转换、控制电路等方面。主要特点在电路学里，给定电势差，电容器储存电荷的能力，称为电容（capacitance），标记为C。采用国际单位制，电容的单位是法拉（farad），标记为F。电容的符号是C。C=εS/d=εS/4πkd（真空）=Q/U在国际单位制里，电容的单位是法拉，简称法，符号是F，由于法拉这个单位太大，所以常用的电容单位有毫法（mF）、微法（μF）、纳法（nF）和皮法（pF）等，换算关系是：1法拉（F）= 1000毫法（mF）=1000000微法（μF）1微法（μF）= 1000纳法（nF）= 1000000皮法（pF）。电容与电池容量的关系：1伏安时=1瓦时=3600焦耳w=0.5cuu电容2200MFD400VDC----是指电容的容量为2200微法，该电容器的承受最高电压为直流400V，超过此电压有可能将电容器击穿。耐电压：450vdc（450伏直流）。。。容量：2200mf(毫法).... 电容单位换算.1f=1000mf1mf=1000μf1μf=1000 nf 1nf=1000 pf h
3，600f4000的电容是什么意思
说明这个电容的容量是600μf，应用最大电压是4000V电容的基础知识 一、电容的分类和作用 电容(electric capacity)，由两个金属极，中间夹有绝缘材料（介质）构成。由于绝缘材料的不同，所构成的电容器的种类也有所不同： 按结构可分为：固定电容，可变电容，微调电容。 按介质材料可分为：气体介质电容，液体介质电容，无机固体介质电容，有机固体介质电容电解电容。 按极性分为：有极性电容和无极性电容。 我们最常见到的就是电解电容。 电容在电路中具有隔断直流电，通过交流电的作用，因此常用于级间耦合、滤波、去耦、旁路及信号调谐 二、电容的符号 电容的符号同样分为国内标表示法和国际电子符号表示法，但电容符号在国内和国际表示都差不多，唯一的区别就是在有极性电容上，国内的是一个空筐下面一根横线，而国际的就是普通电容加一个“＋”符号代表正极。 三、电容的单位 电阻的基本单位是：f （法），此外还有μf（微法）、pf（皮法），另外还有一个用的比较少的单位，那就是：nf（），由于电容 f 的容量非常大，所以我们看到的一般都是μf、nf、pf的单位，而不是f的单位。 他们之间的具体换算如下： 1f＝1000000μf 1μf=1000nf=1000000pf 五、电容的耐压 单位：v（伏特） 每一个电容都有它的耐压值，这是电容的重要参数之一。普通无极性电容的标称耐压值有：63v、100v、160v、250v、400v、600v、1000v等，有极性电容的耐压值相对要比无极性电容的耐压要低，一般的标称耐压值有：4v、6.3v、10v、16v、25v、35v、50v、63v、80v、100v、220v、400v等。 六、电容的种类 电容的种类有很多，可以从原理上分为：无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等，从材料上可以分为：cbb电容（聚乙烯），涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容、电解电容、钽电容等。 七、电容的标称及识别方法 由于电容体积要比电阻大，所以一般都使用直接标称法。如果数字是0.001，那它代表的是0.001uf＝1nf，如果是10n，那么就是10nf，同样100p就是100pf。 不标单位的直接表示法：用1~4位数字表示，容量单位为pf，如350为350pf，3为3pf，0.5为0.5pf 色码表示法：沿电容引线方向，用不同的颜色表示不同的数字，第一，二种环表示电容量，第三种颜色表示有效数字后零的个数（单位为pf） 颜色意义：黑=0、棕=1、红=2、橙=3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白=9。 电容的识别：看它上面的标称，一般有标出容量和正负极，也有用引脚长短来区别正负极长脚为正，短脚为负。 好，电容的基础知识我们也基本上讲完了，您对电容了解了吗？
4，并联电容器的并联电容器的种类
常用的并联电容器按其结构不同，可分为单台铁壳式、箱式、集合式、半封闭式、干式和充气式等多类品种。 这类电容器量大面广，单台容量一般是50、100、200、334kvar等多种，现在还有更大容量（例如500kvar及以上容量）的产品问世，一般100kvar以上容量的产品带有内熔丝。这种产品一旦损坏，用户可以很快用备品自行更换，及时让装置恢复运行，因此采用此类产品时投运率高。加之可以配置外熔断器，保护相对比较完善。目前220kV、特别是330kV及以上电压等级变电站大多采用单台铁壳式并联电容器。也有越来越多的人为了提高电容器的防锈防腐能力，要求用不锈钢板代替普通钢板生产电容器。即使如此，也有的还要在其表面喷涂防紫外线漆；这样的防护层即可防锈防腐蚀，又可大大减少紫外线辐射对电容器温升的负面效应，从而延长电容器的使用寿命。这种款式的电容器中，我国二三十年间一直以内熔丝电容器为主，即电容器内部每个元件上都配装一根小熔丝。近几年来出现了无熔丝电容器，是一种既无内熔丝、也无外熔丝的电容器。20世纪70年代以前，国内生产的全纸电容器与早期的纸膜复合电容器，白于当时内熔丝还处在研究阶段，不可能采用到产品中去，保护电容器的专用外熔断器也是从1980年起才开始研制。电容器出现内部元件击穿后，全依靠电磁式继电器来保护，所以当时的电容器都是完全的无熔丝电容器。随后内外熔丝的相继应用，使我国的无熔丝电容器消失了约30年。此间虽然也一直存在无内熔丝电容器，但要配置外熔丝后才允许使用。无熔丝全膜电容器有与前不同的新含义，越过了晶体管继电器、集成电路继电器阶段，直接进入了微机保护时代。我国无熔丝电容器内部元件的连接方式，有以下三种：(1)传统的占主导地位的元件先并联后串联的方式。内部并联元件数量比较少，不宜配置内熔丝的小容量电容器（例如lO0kvar以下），一直沿用这种接线方式。(2)内部元件先串联后并联的方式，即最近又被重新倡导的一种接线方式。(3)内部元件既有串联成分，也有并联成分，但与上述两种接线方式不同，串中有并，并中有串，属于混合连接方式。这样的接法没有统一的格式，需要根据设计时对单台容量大小与保护上的要求而定。这类电容器不宜用于lOkV级电容器成套装置。先串后并的元件接线方式虽然在三者中相对来说好一些，其单台容量也不宜做得大于lOOkvar。无熔丝电容器的优点是结构简单，损耗与制造成本较低。 这款电容器按其结构分，有半密封和全密封两大类。储油柜加干燥过滤器的，入口处无论有无油封，属于前者；无储油柜而在箱体内部用其他方式来补偿油位冷热变化的，属于后者。目前研发的一种电动调容产品，运行实践表明不太可靠，它的活动触点在油里面，久而久之很容易出现接触不良，可能产生局部过热，加上在两个端子间转接瞬间会产生相位问题，可能引发麻烦，因此可采用断电后用开关手动调容的方法。该电容优点突出，缺点也突出。其主要优点是安装方便、维护工作量小、节省占她面积。而其缺点主要是给用户带来不便，它的维护工作量虽小，但对它的观察很不直观，不能放松对其容量变化的关注；特别是在有谐波的场所，对其容量的变化必须时刻注意。随着运行时间的推移，内熔丝可能会逐步动作，从而引发三相电容量失衡，这一故障很难在现场修复，返厂修理又费时间，影响电容器的投运率。再者因此引起的并补装置串联电抗百分率的变化，大到一定程度时会远离预定目标，甚至带来麻烦。特别是选取4. 5%电抗百分率的并联补偿装置，应事先做好预案，一旦这个百分率出现下滑向4%靠近时，要有可靠的应对措施。更值得注意的是，电容器高压出线套管下端（在油中）对地闪络或击穿时，对地保护有“死区”。《并联电容器装置设计规范》(GB 50227 --1995)及相关国家行业标准均对此没有针对性措施；一旦发生这类事故，只能待其发展到元件损坏而出现不平衡电压或电流后，才能迫使后备继电保护动作。运行实践表明已有这类事故发生，而且都是恶性事故。因此在投运该类产品时，应考虑对此问题加以防范。其实这类事故的起因是对地绝缘失效，在保护上存在盲区造成的。后备保护动作是事故已经扩大，导致集合式电容器严重损坏，产生了不平衡电压或电流后的补救揩施，现有保护不能对这类恶性事故起到预防作用。近年来并联补偿装置实际运行的统计数据表明，集合式电容器的年损坏率大约是单台铁壳式电容器的4倍，有些地区还要高一些；加上现场无法维修等因素，近年来这类产品的市场份额呈现出明显的下降趋势。 这款电容器目前实际上是油气并存，即将集合式产品箱体内的油换成气体，内部的单台铁壳产品仍然是油浸的。由于气体导热性能不及液体，所以这类产品在这一方面要有特别措施，以便散热可靠。热管技术是其中常用的一种。但是，这类产品的实际表现不尽如人意；其原因之一是气体的泄漏无法及时自动报警，同时还要给断路器发出跳闸信号，以便适时切除电容器，防止气体泄漏导致绝缘水平下降引起恶性事故。
5，帮忙UVEPROMEEROMSRAMDRAM的中文含义和主要用途 问
1UVEPROM,可擦出编程ROM（EPROM)的主要种类,EPROM可以由用户自行写入数据，写入后的内容可由紫外线灯照射擦除，然后可重新写入新的数据。这种由紫外线擦除的EPROM可写为2EEROM电可擦只读存储器,3SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。4DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存取存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以 必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 （关机就会丢失数据）主存，又称内存，是计算机中重要的部件之一，它是与cpu进行沟通的桥梁。计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的，因此内存的性能对计算机的影响非常大。 内存（memory）也被称为内存储器，其作用是用于暂时存放cpu中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。只要计算机在运行中，cpu就会把需要运算的数据调到内存中进行运算，当运算完成后cpu再将结果传送出来，内存的运行也决定了计算机的稳定运行。 内存是由内存芯片、电路板、金手指等部分组成的。辅存狭义上是我们平时讲的硬盘。科学地说是外部存储器（需要通过i/o系统与之交换数据，又称为辅助存储器）。存储容量大、成本低、存取速度慢，以及可以永久地脱机保存信息。主要包括磁表面存储器、软盘存储器、磁带存储设备、光盘存储设备。 cache 高速缓冲存储器 一种特殊的存储器子系统，其中复制了频繁使用的数据以利于快速访问。存储器的高速缓冲存储器存储了频繁访问的 ram 位置的内容及这些数据项的存储地址。当处理器引用存储器中的某地址时，高速缓冲存储器便检查是否存有该地址。如果存有该地址，则将数据返回处理器；如果没有保存该地址，则进行常规的存储器访问。因为高速缓冲存储器总是比主ram 存储器速度快，所以当 ram 的访问速度低于微处理器的速度时，常使用高速缓冲存储器。ram（random access memory）随机存取存储器 主要用于存储计算机运行时的程序和数据，需要执行的程序或者需要处理的数据都必须先装入ram内，是指既可以从该设备读取数据，也可以往里面写数据。ram的特点是：计算机通电状态下ram中的数据可以反复使用，只有向其中写入新数据时才被更新；断电后ram中的数据随之消失。sram是英文static ram的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。sram不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而dram（dynamic random access memory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此sram具有较高的性能，但是sram也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的dram内存可以设计为较小的体积，但是sram却需要很大的体积，且功耗较大。所以在主板上sram存储器要占用一部分面积。rom（read only memory）只读存储器，是指只能从该设备中读取数据而不能往里面写数据的存储器。rom中的数据是由设计者和制造商事先编好固化在里面的一些程序，使用者不能随意更改。rom主要用于检查计算机系统的配置情况并提供最基本的输入输出（i/o）程序，如存储bios参数的cmos芯片。rom的特点是计算机断电后存储器中的数据仍然存在。prom （programmable read-only memory）－可编程只读存储器，也叫one-time programmable (otp)rom“一次可编程只读存储器”，是一种可以用程序操作的只读内存。最主要特征是只允许数据写入一次，如果数据烧入错误只能报废。eprom（erasable programmable rom，可擦除可编程rom）芯片可重复擦除和写入，解决了prom芯片只能写入一次的弊端。eprom芯片有一个很明显的特征，在其正面的陶瓷封装上，开有一个玻璃窗口，透过该窗口，可以看到其内部的集成电路，紫外线透过该孔照射内部芯片就可以擦除其内的数据，完成芯片擦除的操作要用到eprom擦除器。eprom内资料的写入要用专用的编程器，并且往芯片中写内容时必须要加一定的编程电压（vpp=12—24v，随不同的芯片型号而定）。eprom的型号是以27开头的，如27c020(8*256k)是一片2m bits容量的eprom芯片。eprom芯片在写入资料后，还要以不透光的贴纸或胶布把窗口封住，以免受到周围的紫外线照射而使资料受损。 eprom芯片在空白状态时（用紫外光线擦除后），内部的每一个存储单元的数据都为1（高电平）。eeprom (electrically erasable programmable read-only memory)，电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 eeprom 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用。eeprom（电可擦写可编程只读存储器）是可用户更改的只读存储器（rom），其可通过高于普通 eeprom电压的作用来擦除和重编程（重写）。不像eprom芯片，eeprom不需从计算机中取出即可修改。在一个eeprom中，当计算机在使用的时候是可频繁地重编程的，eeprom的寿命是一个很重要的设计考虑参数。eeprom的一种特殊形式是闪存，其应用通常是个人电脑中的电压来擦写和重编程。 eeprom,一般用于即插即用（plug & play）。 常用在接口卡中，用来存放硬件设置数据。 也常用在防止软件非法拷贝的"硬件锁"上面。cd-rom（compact disc read-only memory）即只读光盘，是一种在电脑上使用的光碟。这种光碟只能写入数据一次，信息将永久保存在光碟上，使用时通过光碟驱动器读出信息。cd的格式最初是为音乐的存储和回放设计的，1985年，由sony和飞利浦制定的黄皮书标准使得这种格式能够适应各种二进制数据。有些cd-rom既存储音乐，又存储计算机数据，这种cd-rom的音乐能够被cd播放器播放，计算机数据只能被计算机处理。flash memory，也称闪存（flash memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位（注意：nor flash 为字节存储。），区块大小一般为256kb到20mb。闪存是电子可擦除只读存储器（eeprom）的变种，eeprom与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比eeprom的更新速度快。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的bios（基本输入输出程序）、pda（个人数字助理）、数码相机中保存资料等
6，电容有几种啊
电容是表征电容器容纳电荷的本领的物理量。我们把电容器的两极板间的电势差增加1伏所需的电量，叫做电容器的电容。 电容的符号是C。 在国际单位制里，电容的单位是法拉，简称法，符号是F,常用的电容单位有毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)和皮法(pF)(皮法又称微微法)等，换算关系是： 1法拉(F)= 1000毫法(mF)＝1000000微法(μF) 1微法(μF)= 1000纳法(nF)= 1000000皮法(pF)。 相关公式： 一个电容器，如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏，这个电容器的电容就是1法，即：C=Q/U 但电容的大小不是由Q或U决定的，即：C=εS/4πkd 。其中，ε是一个常数，S为电容极板的正对面积，d为电容极板的距离， k则是静电力常量。 电容器的电势能计算公式：E=CU^2/2编辑本段电容器的型号命名方法 第一部分 | 第二部分 | 第三部分 | 第四部分 名称 | 材料 | 特征 | 序号 电容器 | 符号 | 意义 | 符号 | 意义 | 符号 C 高频瓷 T 铁电 T 低频瓷 W 微调 I 玻璃 J 金属化 符号 Y 釉云母 X 小型 C Z 纸介 D 电压 用字母或数字 J 金属化 M 密封 L 纸涤纶 Y 高压 D 铝电解 C 穿心式 A 钽电解 S 独石编辑本段电容功能分类介绍 名称：聚酯（涤纶）电容（CL） 符号： 电容量：40p--4μ 额定电压：63--630V 主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差 应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路 名称：聚苯乙烯电容（CB） 符号： 电容量：10p--1μ 额定电压：100V--30KV 主要特点：稳定，低损耗，体积较大 应用：对稳定性和损耗要求较高的电路 名称：聚丙烯电容（CBB） 符号： 电容量：1000p--10μ 额定电压：63--2000V 主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差 应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路 名称：云母电容（CY） 符号： 电容量：10p--0。1μ 额定电压：100V--7kV 主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小 应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路 名称：高频瓷介电容（CC） 符号： 电容量：1--6800p 额定电压：63--500V 主要特点：高频损耗小，稳定性好 应用：高频电路 名称：低频瓷介电容（CT） 符号： 电容量：10p--4。7μ 额定电压：50V--100V 主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差 应用：要求不高的低频电路 名称：玻璃釉电容（CI） 符号： 电容量：10p--0。1μ 额定电压：63--400V 主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度） 应用：脉冲、耦合、旁路等电路 名称：铝电解电容 符号： 电容量：0。47--10000μ 额定电压：6。3--450V 主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大 应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等 名称：钽电解电容（CA）铌电解电容（CN） 符号： 电容量：0。1--1000μ 额定电压：6。3--125V 主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容 应用：在要求高的电路中代替铝电解电容 名称：空气介质可变电容器 符号： 可变电容量：100--1500p 主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等 应用：电子仪器，广播电视设备等 名称：薄膜介质可变电容器 符号： 可变电容量：15--550p 主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大 应用：通讯，广播接收机等 名称：薄膜介质微调电容器 符号： 可变电容量：1--29p 主要特点：损耗较大，体积小 应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿 名称：陶瓷介质微调电容器 符号： 可变电容量：0。3--22p 主要特点：损耗较小，体积较小 应用：精密调谐的高频振荡回路 名称：独石电容 容量范围：0.5PF--1ΜF 耐压：二倍额定电压。 应用范围：广泛应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。 独石电容的特点：电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性好等。 最大的缺点是温度系数很高,做振荡器的稳漂让人受不了,我们做的一个555振荡器,电容刚好在7805旁边,开机后,用示波器看频率,眼看着就慢慢变化,后来换成涤纶电容就好多了. 就温漂而言:独石为正温糸数+130左右,CBB为负温系数-230,用适当比例并联使用,可使温漂降到很小. 就价格而言:钽,铌电容最贵,独石,CBB较便宜,瓷片最低,但有种高频零温漂黑点瓷片稍贵.云母电容Q值较高,也稍贵. 里面说独石又叫多层瓷介电容，分两种类型，1型性能挺好，但容量小，一般小于0。2U，另一种叫II型，容量大，但性能一般。编辑本段电容的应用 很多电子产品中，电容器都是必不可少的电子元器件，它在电子设备中充当整流器的平滑滤波、电源和退耦、交流信号的旁路、交直流电路的交流耦合等。由于电容器的类型和结构种类比较多，因此，使用者不仅需要了解各类电容器的性能指标和一般特性，而且还必须了解在给定用途下各种元件的优缺点、机械或环境的限制条件等。下文介绍电容器的主要参数及应用，可供读者选择电容器种类时用。 1、标称电容量(CR)：电容器产品标出的电容量值。 云母和陶瓷介质电容器的电容量较低(大约在5000pF以下)；纸、塑料和一些陶瓷介质形式的电容量居中(大约在0005μF10μF)；通常电解电容器的容量较大。这是一个粗略的分类法。 2、类别温度范围：电容器设计所确定的能连续工作的环境温度范围，该范围取决于它相应类别的温度极限值，如上限类别温度、下限类别温度、额定温度(可以连续施加额定电压的最高环境温度)等。 3、额定电压(UR)：在下限类别温度和额定温度之间的任一温度下，可以连续施加在电容器上的最大直流电压或最大交流电压的有效值或脉冲电压的峰值。 电容器应用在高压场合时，必须注意电晕的影响。电晕是由于在介质/电极层之间存在空隙而产生的，它除了可以产生损坏设备的寄生信号外，还会导致电容器介质击穿。在交流或脉动条件下，电晕特别容易发生。对于所有的电容器，在使用中应保证直流电压与交流峰值电压之和不的超过直流电压额定值。 4、损耗角正切(tgδ)：在规定频率的正弦电压下，电容器的损耗功率除以电容器的无功功率。 这里需要解释一下，在实际应用中，电容器并不是一个纯电容，其内部还有等效电阻，它的简化等效电路如下图所示。图中C为电容器的实际电容量，Rs是电容器的串联等效电阻，Rp是介质的绝缘电阻，Ro是介质的吸收等效电阻。对于电子设备来说，要求Rs愈小愈好，也就是说要求损耗功率小，其与电容的功率的夹角δ要小。 这个关系用下式来表达： tgδ=Rs/Xc=2πf×c×Rs 因此，在应用当中应注意选择这个参数，避免自身发热过大，以减少设备的失效性。 5、电容器的温度特性：通常是以20℃基准温度的电容量与有关温度的电容量的百分比表示。 补充： 1、电容在电路中一般用“C”加数字表示（如C13表示编号为13的电容）。电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。 电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。 容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量)电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。 2、识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（μF）/mju:/、纳法（nF）、皮法（pF）。其中：1法拉=1000毫法（mF），1毫法=1000微法（μF），1微法=1000纳法(nF)，1纳法=1000皮法(pF) 容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 μF/16V 容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示 字母表示法：1m=1000 μF 1P2=1.2PF 1n=1000PF 数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数宇，第三位数宇表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。 如:102表示标称容量为1000pF。 221表示标称容量为220pF。 224表示标称容量为22x10(4)pF。 在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用"9"表示时，是用有效数宇乘上10-1来表示容量大小。 如:229表示标称容量为22x(10-1)pF=2.2pF。 允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20% 如：一瓷片电容为104J表示容量为0. 1 μF、误差为±5%。 6使用寿命：电容器的使用寿命随温度的增加而减小。主要原因是温度加速化学反应而使介质随时间退化。 7绝缘电阻：由于温升引起电子活动增加，因此温度升高将使绝缘电阻降低。 电容器包括固定电容器和可变电容器两大类，其中固定电容器又可根据所使用的介质材料分为云母电容器、陶瓷电容器、纸/塑料薄膜电容器、电解电容器和玻璃釉电容器等；可变电容器也可以是玻璃、空气或陶瓷介质结构。以下附表列出了常见电容器的字母符号。 电容分类： 1．电解电容 2．固态电容 3．陶瓷电容 4．钽电解电容 5.云母电容 6.玻璃釉电容 7.聚苯乙烯电容 8.玻璃膜电容 9.合金电解电容 10.绦纶电容 11.聚丙烯电容 12.泥电解 13.有极性有机薄膜电容 14.铝电解电容编辑本段电容一般的选用 低频中使用的范围较宽，如可以使用高频特性比较差的；但是在高频电路中就有了很大的限制了，一旦选择不当会影响电路的整体工作状态； 一般的电源里用的有电解电容、和瓷片电容、但是在高频中就要使用云母等价格较贵的电容，就不可以使用绦纶的电容，和电解的电容，因为它们在高频情况下会形成电感，以致影响电路的工作精度。编辑本段电容器标称电容值 E24 E12 E6 E24 E12 E6 1.0 1.0 1.0 3.3 3.3 3.3 1.1 3.6 1.2 1.2 3.9 3.9 1.3 4.3 1.5 1.5 1.5 4.7 4.7 4.7 1.6 5.1 1.8 1.8 5.6 5.6 2.0 6.2 2.2 2.2 2.2 6.8 6.8 6.8 2.4 7.5 2.7 2.7 8.2 8.2 3.0 9.1 注：用表中数值再乘以10n来表示电容器标称电容量，n为正或负整数。 主要参数的意义：标称容量以及允许偏差：目前我国采用的固定式标称容量系列是：E24，E12,E6系列。他们分别使用的允许偏差是+-5% +-10% +-20%。编辑本段电容器主要特性参数 1、标称电容量和允许偏差 标称电容量是标志在电容器上的电容量。 电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差，在允许的偏差范围称精度。 精度等级与允许误差对应关系：00（01）-±1%、0（02）-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、 Ⅳ-（+20%-10%）、Ⅴ-（+50%-20%）、Ⅵ-（+50%-30%） 一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级，电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级，根据用途选取。 2、额定电压 在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值，一般直接标注在电容器外壳上，如果工作电压超过电容器的耐压，电容器击穿，造成不可修复的永久损坏。 3、绝缘电阻 直流电压加在电容上，并产生漏电电流，两者之比称为绝缘电阻. 当电容较小时，主要取决于电容的表面状态，容量〉0.1uf时，主要取决于介质的性能，绝缘电阻越小越好。 电容的时间常数：为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数，他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。 4、损耗 电容在电场作用下，在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值，电容的损耗主要由介质损耗，电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。 在直流电场的作用下，电容器的损耗以漏导损耗的形式存在，一般较小，在交变电场的作用下，电容的损耗不仅与漏导有关，而且与周期性的极化建立过程有关。 5、频率特性 随着频率的上升，一般电容器的电容量呈现下降的规律。
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