为什么要选刚需高频的产品，现在互联网行业最常说的刚需和高频是什么意思
来源：整理 编辑：网络营销 2024-12-03 10:50:22
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1，现在互联网行业最常说的刚需和高频是什么意思
刚需是指用户需求，迫不及待的，不能等待的。高频是指用户搜索次数最多的，经常搜索的。
2，电磁感应加热中频10khz高频20至80khz为什么加热大东西选用中频
加热大东西用中频是一点点的渗透加热，如果用高频直接加热会导致外表变的高温，中间还是低温，俗称没打透。你好！因为大东西面积大，产生涡流的区域也大，因此中频电流就够了，大电流的中频发生器相对好做。而大电流的高频发生器不太好做，因此适合于加热区域较小的小东西。手打不易，如有帮助请采纳，或点击右上角的满意，谢谢！！记得给问豆啊！
3，为什么要选高频低阻的电容
选高频低阻的电容的原因：主要是在开关电源中要选高频低阻电容。开关电源中的输出滤波电解电容器，其锯齿波电压频率高达数十kHz，甚至是数十MHz，这时电容量并不是其主要指标，衡量电容优劣的标准是“阻抗-频率”特性，要求在开关电源的工作频率内要有较低的等效阻抗，同时对于半导体器件工作时产生的高频尖峰信号具有良好的滤波作用。50Hz工频电路中使用的普通电解电容器，其脉动电压频率仅为100Hz，充放电时间是毫秒数量级。为获得更小的脉动系数，所需的电容量高达数十万μF，因此普通低频铝电解电容器的目标是以提高电容量为主，电容器的电容量、损耗角正切值以及漏电流是鉴别其优劣的主要参数。而开关电源中的输出滤波电解电容器，其锯齿波电压频率高达数十kHz，甚至是数十MHz，这时电容量并不是其主要指标，衡量高频铝电解电容优劣的标准是“阻抗-频率”特性，要求在开关电源的工作频率内要有较低的等效阻抗，同时对于半导体器件工作时产生的高频尖峰信号具有良好的滤波作用。 普通的低频电解电容器在10kHz左右便开始呈现感性，无法满足开关电源的使用要求。而开关电源专用的高频铝电解电容器有四个端子，正极铝片的两端分别引出作为电容器的正极，负极铝片的两端也分别引出作为负极。电流从四端电容的一个正端流入，经过电容内部，再从另一个正端流向负载；从负载返回的电流也从电容的一个负端流入，再从另一个负端流向电源负端。 由于四端电容具有良好的高频特性，为减小电压的脉动分量以及抑制开关尖峰噪声提供了极为有利的手段。高频铝电解电容器还有多芯的形式，即将铝箔分成较短的若干段，用多引出片并联连接以减小容抗中的阻抗成份。并且采用低电阻率的材料作为引出端子，提高了电容器承受大电流的能力。
4，请教下大家关于高频率内存的实际应用和选用意义
我说得更简单些：intel的话一般的奔腾双核，酷睿2双核使用DDR2 800内存都能满足了，就是像E7400,E8400这些高端的双核最好就是组双通道才能发挥出他的全部性能而酷睿2四核则得很高端的产品（如：Q9550）上DDR3内存性能才能更上一层楼，而像Q8200这些低端四核则DDR2 800就可以了对于最新的“爱妻”，虽然所只要DDR3 1066就行了，但是那样内存就会成为整体性能的瓶颈，I7最好就是上DDR3 1333比较好，这样才能带动爱妻的性能而AMD则更简单，对于之前的AM2/AM2+接口的没办法上DDR3，不兼容，不过DDR2 800的内存也能够满足它了而现在的主流AM3，最好就是上原生AM3主板+DDR3 1333内存，内存AM3还是得上1333的好，1066基本没什么意义，相当于高频DDR2，只有频率在1333或更高才能使羿龙2和速龙2的性能完全发挥出来我说得更简单些：intel的话一般的奔腾双核，酷睿2双核使用DDR2 800内存都能满足了，就是像E7400,E8400这些高端的双核最好就是组双通道才能发挥出他的全部性能而酷睿2四核则得很高端的产品（如：Q9550）上DDR3内存性能才能更上一层楼，而像Q8200这些低端四核则DDR2 800就可以了对于最新的“爱妻”，虽然所只要DDR3 1066就行了，但是那样内存就会成为整体性能的瓶颈，I7最好就是上DDR3 1333比较好，这样才能带动爱妻的性能而AMD则更简单，对于之前的AM2/AM2+接口的没办法上DDR3，不兼容，不过DDR2 800的内存也能够满足它了而现在的主流AM3，最好就是上原生AM3主板+DDR3 1333内存，内存AM3还是得上1333的好，1066基本没什么意义，相当于高频DDR2，只有频率在1333或更高才能使羿龙2和速龙2的性能完全发挥出来尔必达的高频DDR3内存已经出事了；单条2G能提高兼容性减少发热和耗电。购机是一个整体工程，目前来看正是一些新技术预备使用的阶段，主板的SATA3和USB3.0接口，内存的高频DDR3大容量价格正常化，显卡制程的进化等观望是目前最好的策略。[]任何新动向、新技术的推广，总有一个过程。DDR3也不是什么太新的东西，还不至于盲人摸象的状况。AMD在内存方面一直是领先INTEL的，只是出于成本的考虑，才晚于INTEL步入DDR3时代。不管是DDR几代，默认的频率都是200。假如3.0主频的CPU去访问DDR内存，那么访问内存的一个周期，会使CPU丧失15个周期。而且，发送一个内存访问请求需要多个内存周期，回应也同样需要多个周期。当然因为这种局部性原理我们引入了cache，可是总有一些情况下cache无法命中，又要去内存消耗掉上百个周期。虽然可以说通信的问题因为增加了位宽得到了解决，但是部分特殊情况下的cache miss依然没有得到解决（虽然对一般应用影响比较小，但是在一些工程计算中相当重要）而随着DDR内存型号的上升，位宽的增加，单个颗粒的物理频率收到更多的制约频率无法明显提升，那么如此看来高频的DDR2就成为了相当不错的选择。有朋友提到了数据之间的传输，但请不要忘记高位款的DDR会浪费更多周期在“读”和“写”这类操作中的响应延时（虽然理论频率提高而让这些延迟再次降低），如果辩证的分析其实高频并不代表高性能，或者说频率的提升并没有预期的效果那样明显。[]DDR3在1800以上方可展现实力，现在的DDR3只是探路摸索阶段千万别买，等到DDR3 1800单条2G价格正常之后才可购买，现在买是替别人铺路。
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